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推動電力電子技術發展!上海瀚薪深耕第三代半導體器件與模塊

發布時間:2025-07-04

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以碳化矽(SiC)等爲代表的第三代寬禁帶半導體功率器件有望開啓新一輪的産業變革。

集微網消息,在半导体器件和集成电路土地,硅(Si )材料仍占据主流地位。然而,传统硅工艺器件的性能已靠近理论极限,现有的硅基功率器件也无法满足电力电子系统关于高阻断电压和开关频率的要求。因此,以碳化矽(SiC)等爲代表的第三代寬禁帶半導體功率器件有望開啓新一輪的産業變革。

看准未來,SiC器件領先者


雖然目前全球在SiC材料的研究及商用化SiC功率器件的開發方面尚處于起步階段,但國內的上海瀚薪科技已在這一領域深耕多年。

上海瀚薪科技是一家致力于研發與生産第三代寬禁帶半導體功率器件及功率模塊的高科技企業,也是國內一家能大規模量産車規級碳化矽MOS管、二極管並規模出貨給全球知名客戶的当地公司。

据了解,瀚薪车规级650V/1200V/1700系列碳化硅肖特基二极管产品均已规模量产,且已全部通过车规级认证。基于JBS/MPS结构的肖特基二极管兼具175 °C的结温能力和更高的抗浪涌电流能力,已广泛应用于服务器电源、通信电源以及开关电源等产品。而3300V 系列产品正在认证测试过程中,预计今年上半年正式车规级量产。

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SiC DMOSFET开关器件中,车规级 650V /1200V /1700V 系列以及3300V 系列均已规模量产,导入供应链。另外,瀚薪全球独创的JMOSFET 技术通过将JBS和MOS器件集成在一起,使单芯片拥有逆变器的集成功能,能够实现模块小型化和更高的功率密度。据悉车规级 650V /1200V 系列相关产品均已规模量产。

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发展至今,上海瀚薪科技已掌握先进的自主器件设计和工艺研发能力,产品差不多能和ST、CREE、罗姆等国际品牌比肩,产品的品类更是超过这些国际品牌(如3300V MOS、JMOS等),在突破海外大厂碳化硅技术垄断的同时保全国内领先。该公司在全球拥有核心专利36项,包含全球独创JMOS器件的设计和工艺专利,另外正在申请的十几项专利也将为碳化硅知识产权版图进一步布局。


依据市场研究机构TrendForce分析,受惠于车用、工业和通信需求挹注,2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。Yole同样预计,碳化硅器件市场收益将会持续,截止到 2025年将超过 30 亿美元。市场规模空前,瀚薪的战场将持续扩大。

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提升競爭力,做功率模塊IDM


值得一提的是,不同于其他厂商,上海瀚薪科技在4月14日进行的慕尼黑上海电子展上分设有两个展台。除SiC器件外, SiC功率模块和驱动解决方案的展台也吸引到大批与会者注目。

相较于SiC器件走Fabless模式,瀚薪在SiC功率模块上则坚持IDM,依靠全自主研发芯片,从设计到生产均在自家工厂完成。截至目前已能规模量产用于新能源汽车主逆变器的1200V 600A/700A的三相全桥模块、62mm工业标准模块以及用途广泛的EasyPACK模块等产品。

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這些高功率密度模塊可根據客戶需求定制開發。其中三相全橋電驅模塊已經與國內外多家新能源車廠展開合作測試,工業級模塊中文产品已大規模出貨。


據了解,瀚薪模塊中文产品采用的先進納米銀燒結工藝、鋁帶工藝都已經成熟,將能進一步降低模塊熱阻,提高模塊功率密度。

除此之外,瀚薪也可认为客户提供模块驱动一体化解决方案,包括1200V/400A 碳化硅半桥模块驱动板等,以及碳化硅基的光耦继电器产品等。

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這些高功率密度模塊可根據客戶需求定制開發。其中三相全橋電驅模塊已經與國內外多家新能源車廠展開合作測試,工業級模塊中文产品已大規模出貨。


據了解,瀚薪模塊中文产品采用的先進納米銀燒結工藝、鋁帶工藝都已經成熟,將能進一步降低模塊熱阻,提高模塊功率密度。

除此之外,瀚薪也可认为客户提供模块驱动一体化解决方案,包括1200V/400A 碳化硅半桥模块驱动板等,以及碳化硅基的光耦继电器产品等。


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